8月2日，中国科学院院士、南昌实验室主任、南昌大学江风益教授应邀访问中国科学技术大学苏州高等研究院，并作为嘉宾出席“独墅论坛·大师讲坛”，为在场师生带来了题为“硅基氮化镓半导体发光”的学术报告。中国科学院院士、中国科大纳米科学技术学院院长、仿生界面材料科学全国重点实验室主任江雷出席并主持此次报告会。

硅基氮化镓宽禁带半导体作为新一代光电芯片的核心载体，其基础理论与产业化路径正迎来原创突破。报告中江风益院士系统介绍了硅基氮化镓发光材料的前沿探索、技术发展现状，深入剖析了领域现存的材料外延、“黄光鸿沟”、晶圆集成等技术瓶颈与产业挑战；同时江风益院士结合光电显示、半导体照明学科的发展趋势，对硅基氮化镓器件的未来应用前景作出展望。

报告交流环节，参会师生围绕半导体发光材料的生长、芯片制造、器件物理、专用装备研发及硅基氮化镓LED技术产业化方向与江风益院士开展深度研讨，现场学术研讨氛围浓厚。

江风益院士是南昌大学教授、南昌实验室主任。曾先后在江西工学院/江西工业大学/南昌大学工作。曾获国家技术发明奖一等奖、国家自然科学奖一等奖、陈嘉庚信息技术科学奖。

（纳米学院）